簡(jiǎn)單方法檢測(cè)IGBT模塊的好壞

    l 、判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉?R×1K。擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極（ G）。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中，則判斷紅表筆接的為集電極（ C )：黑表筆接的為發(fā)射極（ E ）。

  　2 、判斷好壞將萬(wàn)用表?yè)茉?R×10KQ 檔，用黑表筆接 IGBT的集電極（ C ) ，紅表筆接 IGBT 的發(fā)時(shí)極 ( E ) ，此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G ）和集電極（C ) ，這時(shí)工 GBT 被觸發(fā)導(dǎo)通，萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向，并能站們指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極（ G）和發(fā)射極（ E ) ，這時(shí) IGBT 被阻斷，萬(wàn)用表的指針 回零。此時(shí)即可判斷 IGBT 是好的。

 　 3 、注意事項(xiàng)任何指針式萬(wàn)用表鈴可用于檢測(cè) IGBT。注意判斷IGBT 好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉?R×IOK擋，因 R×IKQ檔以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT 導(dǎo)通，而無(wú)法判斷 IGBT的好壞。此方法同樣也可以用護(hù)檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 ( P 一 MOSFET ）的好壞。